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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
主營：貴金屬材料
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中國的貴金屬工業(yè)由于較長時期處于國家計劃經(jīng)濟體制，因此發(fā)展比較緩慢，特別是鉑族金屬起步更是比較晚，工藝技術比較落后，國內資源更是匱乏，直到改革開放以后，以上海黃金的開業(yè)為標志，在這三十年里，才得到了迅速的發(fā)展，出現(xiàn)了現(xiàn)貨、紙黃金、紙白銀等等的交易模式，金圓柱靶，為投資者開打了通往財富的大門，更多的開辟了就業(yè)渠道，同時鉑族金屬的生產(chǎn)加工企業(yè)和流通領域的企業(yè)也似雨后春筍，蓬勃發(fā)展，使中國成為很大的的鉑族金屬進口和消費國。
濺射靶材的要求較傳統(tǒng)材料行業(yè)高，一般要求如，尺寸、平整度、純度、各項雜質含量、密度、N/O/C/S、晶粒尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含：表面粗糙度、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、導磁率、超高密度與超細晶粒等等。磁控濺射鍍膜是一種新型的物相鍍膜方式，就是用電子系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材。 濺射靶材有金屬，合金，金圓柱靶報價，陶瓷化合物等。
而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，哪家有金圓柱靶，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質材料的附著強度低．并且容易發(fā)生反應，導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題，需要在銅與介質層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
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第9年
