MOS管失效的兩個主要原因:
電壓失效:即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓,中低壓mos公司,達(dá)到一定容量,造成MOS管失效。
柵電壓故障:柵極遭受異常電壓尖峰,造成柵氧層故障。
雪崩破壞到底是什么?簡單地說,MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之,中低壓mos廠家,即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值,并且達(dá)到了某一能量極限i時所產(chǎn)生的常見故障。
造成柵電壓異常高的主要原因有三個:生產(chǎn)、運(yùn)輸和裝配過程中的靜電;設(shè)備和電路寄生參數(shù)在電力系統(tǒng)運(yùn)行過程中產(chǎn)生高壓諧振;在高壓沖擊時,高壓通過Ggd傳輸?shù)诫娋W(wǎng)(雷擊測試時這種故障更為常見)。
公司成立于2013年7月,專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn),并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售,在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛,為您量身定制適合的芯片方案。
MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器。且場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關(guān)。
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在開關(guān)電源應(yīng)用方面,這種應(yīng)用需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷。比如,DC-DC電源中常用的基本降i壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能,這些開關(guān)交替在電感里存儲能量,然后把能量釋放給負(fù)載。我們常選擇數(shù)百kHz乃至1MHz以上的頻率,因?yàn)轭l率越高,磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間,MOS管只相當(dāng)于一個導(dǎo)體。因此,我們電路或者電源設(shè)計人員關(guān)心的是MOS的傳導(dǎo)損耗。
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