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沈陽東創(chuàng)貴金屬材料有限公司
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由表面層和基層組成的半導電輥；該表面層具有較高的電阻值，由橡膠組合物制成；基層具有較低的電阻值，由導電橡膠組合物組成。該半導電輥的目的在于通過良好地平衡表面層和基層的電阻值而獲得良好的靜電充電特性。有必要使這兩種層的厚度高度準確。為使兩種層的厚度高度準確，需要較麻煩的管理，香檳金靶材制造，并且生產(chǎn)橡膠輥的成本較高。
而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝，所需要的靶材純度將要求達到5甚至6N以上。銅與鋁相比較，錦州香檳金靶材，銅具有更高的抗電遷移能力及更低的電阻率，香檳金靶材誰家好，能夠滿足！導體工藝在0.25um以下的亞微米布線的需要但卻帶米了其他的問題：銅與有機介質(zhì)材料的附著強度低．并且容易發(fā)生反應，導致在使用過程中芯片的銅互連線被腐蝕而斷路。
為了解決以上這些問題，需要在銅與介質(zhì)層之間設置阻擋層。阻擋層材料一般采用高熔點、高電阻率的金屬及其化合物，因此要求阻擋層厚度小于50nm，與銅及介質(zhì)材料的附著性能良好。銅互連和鋁互連的阻擋層材料是不同的．需要研制新的靶材材料。銅互連的阻擋層用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是難熔金屬．制作相對困難，如今正在研究鉬、鉻等的臺金作為替代材料。
超純金屬的制備有化學提純法如精餾（特別是金屬氯化物的精餾及氫還原）、升華、溶劑萃取等和物理提純法如區(qū)熔提純等（見硅、鍺、鋁、銦）。其中以區(qū)熔提純或區(qū)熔提純與其他方法相 結合有效。
由于容器與藥劑中雜質(zhì)的污染，使得到的金屬純度受到一定的限制，只有用化學方法將金屬提純到一定純度之后，再用物理方法如區(qū)熔提純，才能將金屬純度提到一個新的高度?？梢杂冒雽w材料鍺及超純金屬鋁為例說明典型的超純金屬制備及檢測的原理（見區(qū)域熔煉）。
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第9年
